ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ СТАБИЛЬНОСТИ ЛАМП С УЛЬТРАТОНКИМИ СВЕТОДИОДНЫМИ НИТЯМИ

Danil Gennad’evich Starosek, Denis Vital’evich Ozerkin


Аннотация


Одной из центральных задач при проектировании светоизлучающих приборов на основе светодиодов является задача обеспечения необходимого температурного режима. В статье рассмотрены температурные режимы светодиодных нитей, использующихся в светодиодных лампах со стеклянной колбой. Представлены результаты моделирования в среде AutodeskSimulation CFD конструкции светодиодной нити. Разработана алгоритмическая модель по нахождению уравнения температурной стабильности.


Ключевые слова


светодиодная нить; температурный режим; стабильность

Литература


Каталог продукци иNavigator 2014/4 [Электронный ресурс]. – Режим доступа:http://www.navigator-light.ru/savefile.php?f=assets/files/Navigator.rar, свободный (дата обращения: 22.11.2014).

He F., Chen Q., Liu J. Thermal analysis of COBarray soldered on heat sink. International Communications in Heat and Mass Transfer, 2014, vol. 59. Рp. 55–60. doi: 10.1016/j.icheatmasstransfer.2014.10.021

Pross H. LED failure modes and analysis methods. Modern lighting engineering, 2010, vol. 5.

Goldmann L.S.,Totta P.A. Chip on Board Technologies For Multichip Modules. Van Nostrand Reinhold. N.Y., 1994. Рp. 228–234.

Lan H., Deng Z.-H., Liu Z.-G., Huang J.-Q., Cao Y.-G. Thermal simulation for design of LEDCOB package. Source of the Document Faguang Xuebao /Chinese Journal of Luminescence, 2012, vol. 33, no. 5. Рp. 535–539. doi: 10.3788/fgxb20123305.0535

Пол А. Преимущества использования 0,5-Вт светодиодов в современных источниках света // Полупроводниковая светотехника. 2010. №4. С. 14–16.

Narukawa Y., Narita J., Sakamoto T., Yamada T., Narimatsu H., Sano M. and Mukai T. Recent progress of high efficiency white LEDs. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 2007, vol.204, no. 6. Рp. 2087–2093.doi: 10.1002/pssa.200674782

Гаврилов Н.Н. Влияние температуры на световой поток светодиодных светильников ДСП [Электронный ресурс]. – Режим доступа: URL: http://www.kalchenko.com/stati/o-produktsii/tozhe-potom (дата обращения: 22.11.2014).

Гусев В.П., Фомин А.В. Расчет электрических допусков радиоэлектронной аппаратуры. М.: Сов. радио, 1963. 368 с.

Nakamura S., Senoh M. and Mukai T. P-GaN/N-InGaN/N-GaN Double-Heterostructure Blue Light-Emitting Diodes. Japanese Journal of Applied Physics, 1993, vol. 32. Рp. L8–L11.

Корницкий Ю.В. Справочник по электротехническим материалам / Ю.В. Корницкий, В.В. Пасынков, Б.М. Тареев. Изд. 3-е, перераб. Л.: Энергоатомиздат, 1988. Т. 3. С. 412.

Алексеев В.П. Стабилизация параметров радиотехнических устройств и систем на основе микротермостатирования / Диссертация … канд. техн. наук. Томск: ТУСУР, 1985. 214 с.

Озеркин Д.В. Анализ и синтез термостабильных радиотехнических устройств и систем / Диссертация … канд. технич. наук. Томск: ТУСУР, 2000. 166 с.

Дровосекова Т.И. Разработка компьютерной модели гидролитосферных процессов // В мире научных открытий. 2013. № 2 (38). С. 177–187.

Petroski J. Spacing of high-brightness LEDs on metal substrate PCB’s for proper thermal performance. Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems-Proceedings of the Intersociety Conference, 2004, vol. 2. Рp. 507–514.

Lee C.K., Ahn J.K., Lee C.R., Kim D., Baek B.J. Thermal analysis of LED lamp with LTCCCOB package. Microelectronics International, 2013, vol. 30, no. 1. Рp. 3–9. doi: 10.1108/13565361311298169.

Wen S., Chen J., Chen Y., Wu Y. Thermal analysis of high-power LED based on eutectic welding process and COB packaging technology. BandaotiGuangdian/Semiconductor Optoelectronic, 2014, vol. 35, no. 4. Рp. 589–593 and 610.

Kim Y.-W., Kim J.-P., Kim J.-B., Kim M.-S., Sim J.-M., Song S.-B., Hwang N. Thermal analysis of a package substrate with filling via-holes for COB LED packaging. Journal of the Korean Physical Society, 54 (5 PART 1). Рp. 1873–1878. 2009.

Wen S., Chen J., Chen Y., Wu Y. Thermal analysis of high-power LED based on eutectic welding process and COB packaging technology. Bandaoti Guangdian /Semiconductor Optoelectronic, 2014, vol. 35, no. 4. Рp. 589–593 and 610.

Shatalov M., Chitnis A., Yadav P., Hasan Md. F., Khan J., Adivarahan V., Maruska H.P., Sun W.H. and Asif Khan M. Thermal analysis of flip-chip packaged 280 nm nitride-based deep ultraviolet lightemitting diodes. Applied Physics Letters, 2005, vol. 86, no. 20. Рp. 1–3. doi: 10.1063/1.1927695.




DOI: https://doi.org/10.12731/wsd-2015-12.3-19

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.


Bookmark and Share


(c) 2016 В мире научных открытий



ISSN 2658-6649 (print)

ISSN 2658-6657 (online)

HotLog Яндекс цитирования